Memoria RAM PNY MN16GK2D42666 16 GB DDR4

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• Caratteristiche: Dual
• Memoria interna:
  • 16 GB
  • DDR4
• Voltaggio: 1,2 V
• Connessione:
  • 260-pin UDIMM
  • 260 pin SO-DIMM
• Velocità: 2666 MHz
• Connettore: SO-DIMM
• Latenza: CL19
• Memoria RAM: 16 GB
• Compatibile: Notebook
• Tipo: DDR4

PNY MN16GK2D42666. Componente per: Computer portatile, RAM installata: 16 GB, Layout di memoria (moduli x dimensione): 2 x 8 GB, Tipo di RAM: DDR4, Velocità memoria: 2666 MHz, Fattore di forma memoria: 260-pin SO-DIMM, Latenza CAS: 19

• RAM installata: 16 GB
• Layout di memoria (moduli x dimensione): 2 x 8 GB
• Tipo di RAM: DDR4
• Velocità memoria: 2666 MHz
• Componente per: Computer portatile
• Fattore di forma memoria: 260-pin SO-DIMM
• Data Integrity Check (verifica integrità dati): No
• Tipo di memoria tampone: Unregistered (unbuffered)
• Latenza CAS: 19
• Canali di memoria: Dual-channel
• Voltaggio della memoria: 1.2 V
• Intel® Extreme Memory Profile (XMP): No